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關于IGBT保護電路設計必知問題

2019-06-22    來源:濮陽市科瑞達電子器材有限公司    點擊:4   

1 引言

  IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件,具有電壓高、電流大、頻率高、導通電阻小等特點,因而廣泛應用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差,一旦出現意外就會使它損壞。為此,必須但對IGBT進行相關保護 本文從實際應用出發,總結出了過流、過壓與過熱保護的相關問題和各種保護方法,實用性強,應用效果好。

2 過流保護

  生產廠家對IGBT提供的安全工作區有嚴格的限制條件,且IGBT承受過電流的時間僅為幾微秒(SCR、GTR等器件承受過流時間為幾十微秒),耐過流量小,因此使用IGBT首要注意的是過流保護。產生過流的原因大致有:晶體管或二極管損壞、控制與驅動電路故障或干擾等引起誤動、輸出線接錯或絕緣損壞等形成短路、輸出端對地短路與電機絕緣損壞、逆變橋的橋臂短路等。


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